半导体结构的设计方法、设计设备及计算机可读存储介质

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半导体结构的设计方法、设计设备及计算机可读存储介质
申请号:CN202411891660
申请日期:2024-12-20
公开号:CN119761127B
公开日期:2025-12-05
类型:发明专利
摘要
本公开提供一种半导体结构的设计方法、设计设备及计算机可读存储介质,其中,半导体结构的设计方法包括:调整代表性体积元内的金属线的布线方式,以获取具有不同的金属线布线方式的多个代表性体积元;对多个代表性体积元建立多个第一有限元仿真模型,并分别获取多个第一有限元仿真模型的等效材料性能;分别基于多个第一有限元仿真模型的等效材料性能以及衬底的材料性能,对待设计的半导体结构建立多个第二有限元仿真模型,并模拟多个第二有限元仿真模型在热处理过程中以及经历热处理过程后的翘曲变形情况。
技术关键词
仿真模型 半导体结构 布线方式 金属线 顶点 应力 可读存储介质 衬底 热处理 载荷 层间介质层 计算机 处理器 元素 长方体 泊松比 变量 存储器 效应 周期性
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