一种原位测量三端器件可靠性的透射电镜制样方法

本发明公开了一种原位测量三端器件可靠性的透射电镜制样方法，主要解决现有技术电极连接难和离子束损伤重的问题。其实现方案为：将待测器件置入聚焦离子束扫描电镜；调节图像确定取样位置；用离子束斜切待测器件暴露出电极截面；在器件的源极和栅极之间沉积Pt层，引出栅极；在Pt层上沉积SiO2层，减少离子束对样品的损伤；将试样薄片从器件上转移至微机电系统芯片上；在试样薄片与微机电系统芯片的接触处再次沉积Pt层，并将试样薄片与芯片连接；对试样薄片和芯片选区刻蚀，以使试样薄片的三端电极相互断路；通过离子将试样薄片减薄至电子透明。本发明具有高效率和可视化的特点，且成本低，时效性高，可用于实时观察晶体管三端器件退化和失效时的微观结构变化。