一种高能浪涌限流PTC热敏电阻芯片其配方和生产工艺

本发明公开了一种高能浪涌限流PTC热敏电阻芯片其配方和生产工艺，涉及新能源汽车和工业应用技术领域，加工高能浪涌限流PTC热敏电阻芯片的粉体基料及摩尔组成为：(BaCO30.65+SrCO30.02+Pb3O40.32+CaCO30.017TiO21.02)+NiO 0.001+SiO20.02+CuO 0.0015+La2O30.001+Al2O30.02+CeO20.002+Y2O30.008+Mn3O40.0011+Ta2O50.0005+Nb2O50.0025；其生产工艺包括以下步骤：先进行一次配料预烧成粉；然后进行二次配料成粒；将粒料进行压片烧制，得到具有正温度系数的高能浪涌限流PTC热敏电阻芯片；最后对得到的芯片进行芯片测试；本发明中，所加工的高能浪涌限流PTC热敏电阻芯片，在合成温度880℃时即可形成良好的固相反应，在温度1000℃即可完成产品烧制，不仅节能降耗效果显著，成本也大幅度降低，而且产品达到了更高质量标准。