碲镉汞红外探测器芯片的监测方法

本发明公开了一种碲镉汞红外探测器芯片的监测方法，属于红外探测器技术领域，该碲镉汞红外探测器芯片的监测方法，包括提供待测芯片；将所述待测芯片在HCl溶液中腐蚀，以去除其上的覆盖层；使用氢溴酸和溴以一定比例配置溶液，浸泡所述待测芯片，以去除碲镉汞材料层，所述覆盖层的材质为硫化锌。通过HCl溶液腐蚀去除待测芯片表面的覆盖层，再去除待测芯片中的碲镉汞材料层，不仅避免强烈冲击使得底充胶层气泡造成待测芯片裂片，并且在浸泡去除各材料层时，底充胶层不会受到损坏，可直接观察填胶气泡的自然情况。