一种基于LTCC工艺的AIP气密管壳

本发明涉及AIP气密管壳技术领域，特别是涉及一种基于LTCC工艺的AIP气密管壳。本发明通过LTCC工艺按照顺序依次叠片共烧而成，所述AIP气密管壳由底层到顶层依次设置有底部焊盘层、两层第一介质基板、一层第二介质基板、第一金属层、三层第三介质基板、第二金属层、四层第四介质基板、第三金属层、三层第五介质基板、第四金属层、三层第六介质基板、第五金属层、七层第七介质基板、第六金属层。本发明具有可靠性高、形式灵活、高集成度、低损耗、散热性好且能够实现更大的有效辐射功率，还能满足气密性的一种封装，在保证芯片射频端高隔离的同时进行小型化，同时在管壳内部挖腔，用于放置钼铜块，较好改善芯片的散热问题。