一种沟槽MOSFET器件、制造方法和芯片

本发明实施例提供了一种沟槽MOSFET器件、制造方法和芯片，器件包括沿第一方向交替排列的第一截面区、第二截面区和第三截面区；第一截面区、第二截面区和第三截面区均包括：N型衬底、外延层、第一沟槽、氧化层、第一N区、P阱区、N+区、第二沟槽、栅极和源极；外延层设于N型衬底的一侧；第一N区位于第一沟槽两侧的下方；N+区位于第一沟槽两侧；P阱区连接于N+区的下方；第二沟槽位于第一沟槽的底部；通过第一截面区的位于第二沟槽底部及拐角的P区起到的电场屏蔽作用，以及第三截面区的位于第一沟槽底部的P区起到的电场屏蔽作用，从而避免沟槽拐角处产生较强电场导致的器件损坏，提高了器件的可靠性。