一种硅通孔结构及其制造方法

本发明涉及一种硅通孔结构及其制造方法。该结构包括：键合层；焊盘，布置在所述键合层之上；第一绝缘层，布置在所述键合层和所述焊盘之上，所述第一绝缘层中布置第一开口；晶圆，布置在所述第一绝缘层之上，所述晶圆中布置通孔，所述通孔的开口尺寸大于所述第一开口的尺寸；第二绝缘层，布置在所述晶圆的上表面和侧面；互连结构，布置在所述第二绝缘层和所述焊盘之上，所述互连结构与所述焊盘电连接。本发明提供的硅通孔结构，在绝缘层开窗时采用干膜作为掩膜，控制干膜开口的尺寸，使得绝缘层开口尺寸小于通孔开口的尺寸，可以避免绝缘层开窗时的notch产生，降低开窗工艺难度，提高产品良率。