一种超导量子芯片及其制备方法

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一种超导量子芯片及其制备方法
申请号:CN202411907749
申请日期:2024-12-20
公开号:CN119698233A
公开日期:2025-03-25
类型:发明专利
摘要
本申请涉及超导量子芯片3D集成领域,公开了一种超导量子芯片及其制备方法,包括:相对设置的第一芯片和第二芯片;位于所述第一芯片相对于所述第二芯片表面的第一超导层和读出控制部;位于所述第二芯片相对于所述第一芯片表面的第二超导层和约瑟夫森结;位于所述第一超导层和所述第二超导层之间的超导柱体和光刻胶垫片,所述超导柱体位于所述光刻胶垫片的内侧。使用光刻胶垫片作为第一芯片和第二芯片之间的支撑垫片,光刻胶垫片厚度均匀性好并且厚度容易控制,可以避免单纯的超导柱体支撑导致的倾斜的问题,并且可以更好的控制第一芯片和第二芯片之间的间距。光刻胶垫片的制作简单,可以与晶圆级加工相适应,同时与低损耗芯片的制造工艺兼容。
技术关键词
超导量子芯片 粘附阻挡层 约瑟夫森结 柱体 衬底 抗氧化层 晶圆 光刻胶残留物 保护胶 负性光刻胶 支撑垫片 光刻胶层 层叠 系列 间距
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