一种长线弧跨Die连接方法

本发明涉及芯片技术领域，具体地说是一种长线弧跨Die连接方法及结构。包括如下步骤：S1，将第一芯片上片至引线框架上；S2，将第二芯片上片至第一芯片的一侧表面；S3，将假片上片至第一芯片的另一侧表面；S4，将第二芯片与第一芯片、引线框架两侧的引脚通过线弧进行键合；所述的步骤S4中，第二芯片与相距较远的引脚通过线弧进行键合时，线弧一侧落在假片上。同现有技术相比，取消PCB转接板设计，通过假片完成，假片为晶圆填充片（即wafer dummy）切割而成，内部没有电路，不包含导电材料，是不导电的，长线弧跨die时，线弧接触假片，不会出现短路的质量问题。