一种集成陶瓷电容的三相全桥功率模块的封装结构

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一种集成陶瓷电容的三相全桥功率模块的封装结构
申请号:CN202411919172
申请日期:2024-12-24
公开号:CN119890199A
公开日期:2025-04-25
类型:发明专利
摘要
本申请提供了一种集成陶瓷电容的三相全桥功率模块的封装结构,包括:陶瓷基板和设置在陶瓷基板的正面上的A相桥臂、B相桥臂和C相桥臂;其中,所述A相桥臂、B相桥臂和C相桥臂的正母线铜箔是连通的,在A相桥臂的正母线铜箔的左部分和A相负母线铜箔上设置A相陶瓷电容;在B相桥臂的正母线铜箔的中间部分和B相负母线铜箔上设置B相陶瓷电容;在C相桥臂的正母线铜箔的右部分和C负母线铜箔上设置C相陶瓷电容。本申请的封装结构中集成陶瓷电容,减小了各功率回路的杂散电感,抑制了换流过程中的电压尖峰与振荡,降低了电磁干扰噪声。
技术关键词
陶瓷电容 功率芯片 三相全桥 栅极 功率模块 封装结构 键合线 母线端子 陶瓷基板 回路 电磁干扰噪声 铜箔层 正面 电感 布局 间距
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