一种提高金属键合三个方向对准精度的方法及器件

本发明涉及集成电路制造技术领域，具体公开一种提高金属键合三个方向对准精度的方法及器件，该方法包括：在第一晶圆上制作各向异性刻蚀的凹槽和第一金属键合凸点；在第二晶圆上制作与凹槽对应的钝化层凸块，以及与第一金属键合凸点对应的第二金属键合凸点；通过凹槽与钝化层凸块进行定位，利用第一金属键合凸点和第二金属键合凸点将第一晶圆、第二晶圆键合在一起，形成键合器件。本发明的方法考虑了晶圆生产过程中光刻层间对准以及键合对准机对准精度，可以让键合后对准偏差小于5um，使器件结构可利用面积增加，设计芯片尺寸可以做到更小，节省成本，增加产品竞争力，同时，还能控制键合压缩量，使产品片内一致性提升，并提升晶圆良率。