一种单电极双光敏区四象限PIN探测器及其制备方法

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一种单电极双光敏区四象限PIN探测器及其制备方法
申请号:CN202411924342
申请日期:2024-12-25
公开号:CN119730422B
公开日期:2025-10-03
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种单电极双光敏区四象限PIN探测器,属于半导体光电传感器芯片领域。该探测器包括衬底、缓冲层、吸收层以及位于吸收层表面且呈四象限分布的第一和第二PIN型光电二极管。各象限的第一PIN型光电二极管呈扇环形,第二PIN型光电二极管呈扇形;扇环形的第一PIN型光电二极管分布在扇形的第二PIN型光电二极管的外侧。在各象限间隔中设有金属走线,用于连接同一象限内的第一和第二PIN型光电二极管,实现一个象限内的第一和第二PIN型光电二极管共用一个P电极,同时实现各象限间隔挡光和增强探测器中心区域电场。本发明可兼容兼容大、小双光斑的工作模式,节省了卫星载荷、功耗,在卫星载荷应用方面具有显著的优势。
技术关键词
光电二极管 探测器 金属走线 涂敷光刻胶 扩散阻挡层 电极 半导体光电传感器 P型导电特性 衬底 沉积减反射膜 缓冲层 裂片设备 环形 载荷 磨片 芯片 光斑
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