一种光栅耦合器及其制备方法与应用

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一种光栅耦合器及其制备方法与应用
申请号:CN202411924380
申请日期:2024-12-25
公开号:CN119596454A
公开日期:2025-03-11
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种光栅耦合器及其制备方法与应用,涉及集成光子学领域。本发明光栅耦合器结构由下至上包括衬底层、氧化硅下包层、氮化硅波导层、氧化硅缓冲层、非晶硅层以及氧化硅上包层;其中,非晶硅层由下至上包括非晶硅波导和非晶硅光栅,非晶硅光栅与非晶硅波导相连;非晶硅波导和氮化硅波导层均包含线性渐变波导,二者构成双拉锥结构,该双拉锥结构采用垂直耦合方式将光从氮化硅波导层中耦合进非晶硅波导中,并利用非晶硅与二氧化硅的较大折射率差实现更高的光栅衍射效率,从而提高耦合效率。
技术关键词
非晶硅 光栅耦合器 氮化硅薄膜 缓冲层 光栅衍射效率 衬底层 集成光子学 上沉积 光波导芯片 切趾光栅 线性 单模光纤 纳米 硅片 二氧化硅 周期
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