一种提高光刻工艺窗口的方法

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一种提高光刻工艺窗口的方法
申请号:CN202411926387
申请日期:2024-12-24
公开号:CN119472163B
公开日期:2025-10-31
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种提高光刻工艺窗口的方法,包括:提供一包括功能性器件的图形和非功能性的虚拟结构的图形的版图设计;采用第一次光学邻近效应修正对版图设计迭代优化;其中,虚拟结构的图形被视为功能性器件的图形进行优化;对经过第一次光学邻近效应修正后的版图设计进行弱点检测,并筛选出由虚拟结构的图形引起的工艺弱点;针对由虚拟结构的图形引起的工艺弱点,采用第二次光学邻近效应修正进行优化;其中,第二次光学邻近效应修正对虚拟结构的图形进行操作;再次对版图设计进行弱点检测,判断由虚拟结构的图形引起的工艺弱点是否被优化。本发明的技术方案针对虚拟结构引入的工艺进行优化,降低了工艺复杂度,提高了光刻工艺窗口。
技术关键词
光学邻近效应修正 光刻工艺窗口 光刻模型 版图 边缘放置误差 关键尺寸变化 仿真工艺 可读存储介质 光刻胶 处理器 存储器 复杂度 景深 电子设备 掩膜 因子 标识 间距
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