N型半导体器件、半导体器件及其制造方法、芯片和电子设备

本公开涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种N型半导体器件、半导体器件及其制造方法、芯片和电子设备，所述N型半导体器件的制造方法，包括：提供形成有栅极结构的衬底；对所述栅极结构两侧的衬底进行多次预非晶化注入；其中，除最后一次预非晶化注入外，每一次预非晶化注入后进行一次低温退火处理；在最后一次预非晶化注入后对所述栅极结构两侧的衬底进行源漏注入，形成源极和漏极。上述技术方案利用对栅极结构两侧的衬底进行多次预非晶化注入，后续在退火的过程中，源漏区的衬底由非晶态向晶态转变时发生体积膨胀对沟道产生应力作用，从而提升了沟道的张应力，进而能够提升电子迁移率。