封装结构及其形成方法

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封装结构及其形成方法
申请号:CN202411935839
申请日期:2024-12-26
公开号:CN119833491A
公开日期:2025-04-15
类型:发明专利
摘要
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种封装结构及其形成方法。所述封装结构包括:基板;芯片,贴装于所述基板的表面上,所述芯片包括朝向所述基板的正面和背离所述基板的背面;散热结构,覆盖于所述芯片的背面上,所述散热结构包括散热盖以及至少位于所述散热盖与所述芯片之间的微纳金属互联层,所述微纳金属互联层的一端与所述散热盖连接、另一端与所述芯片的背面连接。本发明显著提高了封装结构的散热性能,并简化了封装结构的制程工艺,提高了所述封装结构的产率。
技术关键词
金属线 封装结构 芯片 金属镀层表面 散热盖 散热结构 金属互联层 基板 封装体 还原性气氛 晶须 正面 半导体 棱柱 制程
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