一种衰减器芯片

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推荐专利
一种衰减器芯片
申请号:CN202411936134
申请日期:2024-12-26
公开号:CN119766181B
公开日期:2025-10-14
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种衰减器芯片,该芯片由第一薄膜电阻、第二薄膜电阻、输入焊盘、输出焊盘串联成主路,第三薄膜电阻与第四薄膜电阻并联接地,四个薄膜电阻共同构成纯T型电阻衰减结构。在传统的T型衰减器的结构上,将传统单接地薄膜电阻分成两个并联接地薄膜电阻,具有更好的对称性。纯电阻衰减器结构具备平坦的频率响应,可以在宽频范围内保持一致的衰减效果,同时成本低廉结构简单,应用广泛。另外,接地片与接地面通过接地通孔导通,该种结构增强了信号的对称性,从而提高了信号的稳定性。此外,在连接薄膜电阻的传输线上采用蛇形迂回设计,更好的保证了性能。本发明提供的衰减器芯片使用更为灵活、体积更小、性能更优。
技术关键词
薄膜电阻 传输线 接地片 介质基板 矩形 芯片 焊盘中心距离 电阻衰减器 砷化镓材料 尺寸 频率响应 氮化钽 地面 通孔 顶端 宽频 间距
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