一种拱形结构在MEMS热膜式流量传感器芯片中的应用及其制备方法

本发明涉及传感器技术领域，特别是涉及一种拱形结构在MEMS热膜式流量传感器芯片中的应用及其制备方法，方法包括：在硅基底的正、背面分别设置氮化硅层；在基底正面通过光刻及干法刻蚀工艺依次蚀刻氮化硅层和硅基底并最终形成硅基底层孔洞结构；从正面通过干法/湿法刻蚀工艺去除孔洞结构以外的正面氮化硅层；通过热氧化方法生长氧化硅填充硅层孔洞结构；从正面通过CMP将氧化硅表面打磨平整形成氧化硅结构层；在打磨平整得氧化硅结构层上溅射金属层；在金属层上沉积钝化保护层；将硅基底背面的氮化硅层的指定区域进行光刻及刻蚀形成背腔窗口并露出背部硅基底，对硅基底从其背面进行湿法或干法刻蚀，停止于正面氧化硅结构层形成所需拱形悬空膜结构；本发明的方法制造出的器件具有精度高、可靠性高的优点，在MEMS热膜式流量传感器芯片中的应用可以提高膜区机械强度，减少应力导致的性能变化或结构损坏。