一种GaN功放管偏置控制电路及其方法

本发明涉及一种GaN功放管偏置控制电路及其方法，包括供电单元、漏极电压控制单元、基准电源芯片D5和栅极电压控制单元；供电单元用于接入供电电路；漏极电压控制单元电连接至供电单元和GaN功放管的漏极，且漏极电压控制单元用于接入供电电路；基准电源芯片D5电连接至供电单元和栅极电压控制单元；栅极电压控制单元电连接至供电单元和GaN功放管的栅极。本申请基于基准电源芯片D5提供低噪音的基准电压，可以提供更低偏置噪声的干扰，提高栅极电压控制单元向GaN功放管的栅极的信噪比。