一种异常Flash芯片的筛选方法、装置、介质及设备

本发明提出一种异常Flash芯片的筛选方法、装置、介质及设备，对待测芯片进行数据异常电压临界测试，确定待测芯片的临界电压值，其中，待测芯片为待测的Flash芯片；确定临界电压值是否大于电压阈值，其中，电压阈值与待测芯片的负偏置电压的目标档位对应；若大于电压阈值，则确定待测芯片的负偏置电压异常。在无法直接测量负偏置电压的情况下，通过待测芯片的临界电压值从侧面对待测芯片的负偏置电压进行安全评估，从而实现异常Flash芯片的筛选，保障筛选结果的准确性。