一种晶圆级芯片3D封装引出结构及制备方法

本发明属于微电子封装技术领域，具体涉及一种晶圆级芯片3D封装引出结构及制备方法。先在基体正面制备第一槽图形，再制备第一导电层、第一金属层和第一绝缘层，形成第一重布线层；通过在芯片背面打刻蚀孔，打到基体正面pad上形成垂直互连；然后在基体背面再次加工第二槽图形，同样地制备出第二金属层和第二绝缘层，形成第二重布线层；切割后，上下两个槽图形从中间被分割开，侧边通过pad附近的斜凹槽做外引出，形成侧边互连。在为芯片提供垂直互连的同时解决了侧边互连问题，为异质异构3D集成提供了额外的连接路径，实现更优异的电学性能。