功率半导体模块的布局结构和功率半导体模块

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功率半导体模块的布局结构和功率半导体模块
申请号:CN202411942120
申请日期:2024-12-24
公开号:CN119905468B
公开日期:2025-12-09
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种功率半导体模块的布局结构和功率半导体模块。所述布局结构的负极功率端子、下桥臂芯片、上桥臂芯片和交流功率端子沿基板第一方向顺序排列,且各负极功率端子沿基板第二方向排列,并分别设置于各第一金属层上,各下桥臂芯片沿基板第二方向排列,并分别设置于各第二金属层上,各上桥臂芯片沿基板第二方向排列,均设置于第四金属层上,各交流功率端子沿基板第二方向排列,并分别设置于各第三金属层上,正极功率端子和各上桥臂芯片沿基板第二方向顺序排列,并设置于第四金属层上,本申请的功率半导体模块的布局结构,电流从上桥臂芯片的一侧出流给下桥臂芯片,另一侧出流给交流功率端子,提高了功率半导体器件的空间利用率。
技术关键词
功率半导体模块 功率端子 布局结构 芯片 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 信号端子 基板 绝缘栅双极型晶体管 功率半导体器件 负极 键合结构 电流 热敏电阻
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