一种SRAM存内计算的脉冲编码方法

AITNT
正文
推荐专利
一种SRAM存内计算的脉冲编码方法
申请号:CN202411947364
申请日期:2024-12-27
公开号:CN119847981A
公开日期:2025-04-18
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种SRAM存内计算的脉冲编码方法,属于集成电路技术领域,包括如下步骤:对原输入数据进行泊松编码处理,得到脉冲编码;根据随机舍弃算法,基于脉冲编码,对各时刻下的脉冲信号进行去重处理,得到去重复脉冲编码;将去重复脉冲编码输入到LIF神经元进行运算处理,得到SRAM存内运算结果。本发明解决了SRAM存内计算的稳定性不足和功耗过高的问题。
技术关键词
脉冲编码方法 SRAM存储单元 信号 电流值 集成电路技术 数据 时钟 周期 因子 算法 表达式 通道 索引 功耗 指数 基底
系统为您推荐了相关专利信息
1
一种瓦片式模拟多波束相控阵收发组件
低频连接器 接插件 多功能芯片 幅相控制芯片 印制板
2
一种辅助红绿色盲驾驶员的交通信号灯识别系统
红绿灯识别 芯片 图像采集模块 主控制器 WiFi模块
3
一种基于多谐波观测与前馈补偿的Si/SiC拓扑并联逆变器谐波抑制方法
谐波抑制方法 逆变器 电流 锁相环算法 卡尔曼滤波算法
4
一种基于馈线终端的配电网故障区段快速标定方法
配电网故障区段 馈线终端 快速标定方法 故障暂态信号 单相接地故障
5
开关电路、电池管理系统及车辆
半导体开关 电源管理芯片 开关电路 开关单元 开关模块
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号