一种可降低低钳位瞬态电压的半导体芯片

本发明公开了一种可降低低钳位瞬态电压的半导体芯片，涉及半导体芯片技术领域，包括背面金属，背面金属的上端设置有衬底层，衬底层的上端两侧分别设置有一号P+隔离区和二号P+隔离区，衬底层的上端中部设置有外延层，外延层的两端分别与一号P+隔离区和二号P+隔离区相连通，外延层内设置有一号掺杂区、三号P+隔离区、二号掺杂区、三号掺杂区和四号掺杂区，外延层内设置有一号散热层和二号散热层。该可降低低钳位瞬态电压的半导体芯片，及时对电磁强度进行减缓，使得提高瞬态电压抑制器的瞬态响应速度增强，使得半导体芯片能够通过不同密度的散热涂层进行连续散热，提高半导体芯片对电流控制的精准度。