半导体检查装置以及半导体装置的制造方法

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正文
推荐专利
半导体检查装置以及半导体装置的制造方法
申请号:CN202411948365
申请日期:2024-12-27
公开号:CN120674334A
公开日期:2025-09-19
类型:发明专利
摘要
本发明提供改善缺陷检查中的分类精度、高精度地判定半导体装置的优劣的半导体检查装置。半导体检查装置(101)包括:第一检查信息取得部(10)、第二检查信息取得部(20)以及筛选部(30)。第一检查信息取得部(10)取得包括离子注入前的半导体晶片的表面的凹凸信息的第一图像信息。第二检查信息取得部(20)取得包括离子注入后被热处理的半导体晶片的光致发光的信息的第二图像信息。筛选部(30)基于第一图像信息和第二图像信息,确定半导体晶片所包含的缺陷,并判定形成于半导体晶片的半导体芯片的优劣。
技术关键词
半导体检查装置 半导体晶片 半导体芯片 学习装置 图像 光致发光 离子注入工序 半导体装置 缺陷分类器 热处理 数据 对比度 坐标 信道 图案 对象 精度
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