一种增强栅氧可靠性的SiC MOSFET器件及制备方法

一种增强栅氧可靠性的SiC MOSFET器件及制备方法，涉及半导体技术领域。在N‑区中依次形成P+区和栅底氧化层，栅底氧化层可以在不影响器件导通电阻的情况下显著提高栅氧底部的可靠性，且栅底氧化层也可降低芯片的Crss寄生电容，有利于器件高频应用；再利用P+区屏蔽栅氧底部的电场，可进一步提升栅氧可靠性。