晶圆规模的系统级封装结构及其形成方法

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推荐专利
晶圆规模的系统级封装结构及其形成方法
申请号:CN202411950846
申请日期:2024-12-27
公开号:CN119725248A
公开日期:2025-03-28
类型:发明专利
摘要
一种晶圆规模的系统级封装结构及其形成方法,封装结构包括:硅基板,贴装在硅基板上表面的呈阵列排布并与硅基板电联接的若干功能子模块;贴装在功能子模块边缘的硅基板上表面的第一桥接结构,将相邻的功能子模块之间互联;贴装在功能子模块角头的硅基板上表面的第二桥接结构,将所述角头周围的相邻的功能子模块之间互联;位于硅基板的上表面包覆所述功能子模块、第一桥接结构和第二桥接结构的第一塑封层。本申请扩展了垂直方向上的互联通道,提高了晶圆规模的系统级封装结构的带宽。
技术关键词
系统级封装结构 桥接结构 子模块 电源供应模块 基板 规模 布线 散热盖 柔性结构 缓冲层 线路 半导体芯片 盲孔 介电层 阵列 多层堆叠结构 凸块 晶圆
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