一种提高封装密度的封装方法及封装结构

本发明公开了一种提高封装密度的封装方法及封装结构，封装方法包括以下步骤：先分别制作埋入芯片结构和塑封体；将埋入芯片结构的第一信号导出结构焊接在塑封体上的中介层上，完成多颗芯片垂直堆叠，实现电气连接，再进行整体减薄；在埋入芯片结构上形成硅通孔；在硅通孔和芯片背面形成第二再布线层；在第二再布线层表面制作第三钝化层；在第三钝化层上处形成第二信号导出结构，第二信号导出结构制作完成后，通过切割的工艺将产品分成若干个独立Die。本发明通过将塑封体上的中介层与第一信号导出结构焊接在一起，从而实现多颗芯片垂直堆叠，相同体积下能够实现更多的芯片连接，显著提高了封装密度，同时有利于增加产品散热能力，封装可靠性高。