单电源轨过流保护电路、LDO芯片及过流保护方法

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单电源轨过流保护电路、LDO芯片及过流保护方法
申请号:CN202411951965
申请日期:2024-12-27
公开号:CN119759173A
公开日期:2025-04-04
类型:发明专利
摘要
本发明实施例涉及过流保护技术领域,特别涉及一种单电源轨过流保护电路、LDO芯片及过流保护方法。过流保护电路包括:由功率管、采样管和箝位模块组成的一级镜像模块;采样管和功率管的栅极短接后连至误差放大器的输出端;采样管和功率管的源极分别连接至箝位模块的两个输入端进行箝位,使得采样管源端电压等于LDO输出电压;采样管和功率管的漏极均连接至LDO输入端,基于采样管源端电压和LDO输出电压均小于LDO输入电压,利用LDO输入电压为箝位模块供电。本方案为单电源轨供电,不仅可以减少芯片外围应用电路的复杂程度,还可以扩大LDO芯片的应用范围。
技术关键词
功率管 镜像 误差放大器 模块 电路 输入端 电流 栅极 电压 保护方法 开关 基准源 MOS管 输出端 芯片 短路 电源 线性 网络
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