一种基于温度均衡的IGBT温敏特性拟合方法及装置

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正文
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一种基于温度均衡的IGBT温敏特性拟合方法及装置
申请号:CN202411954448
申请日期:2024-12-27
公开号:CN120085131A
公开日期:2025-06-03
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于温度均衡的IGBT温敏特性拟合方法及装置,其中该方法包括:根据预先构建的金属薄膜热扩散模型对恒温腔内的金属薄膜进行选取,以使所述恒温腔内形成均匀的温度场;按照多个预设的温度梯度对IGBT器件进行温敏特性提取;对所述温敏电参数进行数据处理分析,得到不同温度梯度下不同电流等级及其对应的温敏电参数值;根据不同温度梯度下不同电流等级及其对应的温敏电参数值和预先建立的温敏电参数模型进行参数拟合,得到拟合后的温敏电参数与电流及温度之间的三维模型。本发明采用高导热金属薄膜构成恒温腔,并通过恒温腔加热压接型IGBT器件,使得压接型IGBT器件的内部温度均匀稳定,从而提高了压接型IGBT温敏特性提取的精度。
技术关键词
热扩散模型 恒温 栅极驱动电压 金属氧化物半导体场效应管 温度校正 栅极氧化层 加热控制器 参数 整流器 电流 IGBT器件 沟道迁移率 导热薄膜 三维模型 数据处理模块 计算机程序产品 温度监测单元 滤波
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