集成电路及其制备方法、芯片、电子设备

本公开提供了一种集成电路及其制备方法、芯片、电子设备，涉及集成电路技术领域，旨在提高集成电路的性能，并提升集成电路的使用寿命。集成电路包括衬底、第一半导体器件和第二半导体器件。第一半导体器件包括第一栅极和第一盖帽层，在向衬底的正投影中，第一栅极位于第一盖帽层的边界范围内，且第一盖帽层沿第一方向的尺寸，和第一栅极沿第一方向的尺寸之间的差值为第一差值。第二半导体器件包括第二栅极和第二盖帽层，在向衬底的正投影中，第二栅极位于第二盖帽层的边界范围内，且第二盖帽层沿第二方向的尺寸，和第二栅极沿第二方向的尺寸之间的差值为第二差值。第二差值大于或等于第一差值。上述集成电路应用于芯片中。