一种碳化硅大尺寸晶体生长热场温度控制方法、系统、设备、介质及产品

本申请公开了一种碳化硅大尺寸晶体生长热场温度控制方法、系统、设备、介质及产品，涉及晶体生长领域，该方法包括：计算当前工况下的加热功率；根据历史工况加热功率表确定加热功率平均值、加热功率限值和报警值；基于当前工况下的加热功率和加热功率平均值计算加热功率设定值；基于加热功率设定值和实际反馈加热功率，采用一阶PID控制算法计算第一控制功率；基于热场温度设定值和实际反馈热场温度，采用二阶PID控制算法计算第二控制功率；对第一控制功率和第二控制功率进行叠加，并限幅在加热功率限制值之内，得到加热功率控制值，对碳化硅大尺寸晶体生长热场的温度进行控制。本申请能够提高温度场的稳定性，有利于碳化硅大尺寸晶体生长。