一种低介电性能玻璃及其应用

本申请涉及一种低介电性能玻璃及其应用，属于半导体封装技术领域；包括：SiO261％～70％、Al2O312％～14.5％、B2O311.5％～15.5％、MgO1％～2％、CaO3％～6％、SrO1％～3％、BaO0.5％～1％和Y2O30.5～2％；满足：L＝MAX([MgO],[CaO],[SrO],[BaO])‑MIN([MgO],[CaO],[SrO],[BaO])，2≤L≤5.5；S＝([MgO]+[CaO]+[SrO]+[BaO])，6≤S≤12；0.3≤L/S≤0.6；通过控制成分配比及碱土金属氧化物比例得到的玻璃具有低的介电常数和介电损耗；且具有和硅基板接近的热膨胀系数。