半导体封装结构的制造方法、半导体结构的制造方法以及半导体器件

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半导体封装结构的制造方法、半导体结构的制造方法以及半导体器件
申请号:CN202411959680
申请日期:2024-12-27
公开号:CN119764191A
公开日期:2025-04-04
类型:发明专利
摘要
本申请实施例提供一种半导体封装结构的制造方法、半导体结构的制造方法以及半导体器件。其中,半导体封装结构的制造方法,包括:提供晶圆;在晶圆上形成多个第一堆叠;每一第一堆叠包括一个芯片或者堆叠设置的多个芯片;在相邻的两个第一堆叠之间的间隙中填充第一介质层;第一介质层的材料与芯片的材料不同;在多个第一堆叠上形成与多个第一堆叠对应的多个第二堆叠;每一第二堆叠包括一个芯片或者堆叠设置的多个芯片;去除第一介质层;在相邻的两个第一堆叠之间的间隙以及在相邻的两个第二堆叠之间的间隙填充包封层。
技术关键词
半导体封装结构 半导体结构 介质 芯片 包封 半导体器件 光致聚合物 晶圆 气相沉积工艺 气隙结构 灰化工艺 旋涂工艺 基板 模具 涂覆
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