Micro-LED外延片及其制备方法

本发明公开了一种Micro‑LED外延片及其制备方法，涉及半导体技术领域。Micro‑LED外延片包括衬底、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、第一空穴注入增强层、第一P型半导体层、第二空穴注入增强层、第二P型半导体层和P型欧姆接触层；第一空穴注入增强层的势垒高度大于第二空穴注入增强层的势垒高度；第一空穴注入增强层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层；第二空穴注入增强层包括依次层叠的第四子层、第五子层和第六子层。实施本发明，可以提高Micro‑LED芯片在低工作电流密度下的光效。