一种抗辐射刷新FPGA芯片内部程序的方法与系统

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一种抗辐射刷新FPGA芯片内部程序的方法与系统
申请号:CN202411962421
申请日期:2024-12-30
公开号:CN119938093A
公开日期:2025-05-06
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种抗辐射刷新FPGA芯片内部程序的方法与系统,该方法包括:根据预设周期读取FPGA芯片所受辐射剂量;在FPGA芯片所受辐射剂量大于预设辐射值的情况下,分别读取预先在第一闪存和第二闪存中存储的FPGA程序,并分别计算第一校验码和第二校验码;将预先存储的本地校验码分别与第一校验码和第二校验码进行比较;根据比较结果将第一闪存或第二闪存中存储的FPGA程序写入FPGA芯片。其有益效果是,基于现场可编程门阵列芯片受辐射剂量的统计,更有针对性地修复现场可编程门阵列芯片内部程序的方法,该方法便于设计和实施,成本低廉,并且能够对于现场可编程门阵列芯片的硬件损坏进行有效预警和报警。
技术关键词
FPGA芯片 程序 辐射检测器 可编程门阵列芯片 微处理器 电路板 修复现场 存储设备 周期 可读存储介质 接口 计算机
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