二维差分霍尔芯片、传感器元件及其磁场测量方法

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二维差分霍尔芯片、传感器元件及其磁场测量方法
申请号:CN202411965519
申请日期:2024-12-30
公开号:CN119758194A
公开日期:2025-04-04
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种二维差分霍尔芯片、传感器元件及其磁场测量方法,所述二维差分霍尔芯片包括:呈十字形排布的两组霍尔对芯片以及位于所述两组霍尔对芯片上的单聚磁层;每组霍尔对芯片包括两个间隔分布的霍尔芯片,所述两组霍尔对芯片中的一组霍尔对芯片沿水平方向的x轴对称设置,另一组霍尔对芯片沿竖直方向的y轴对称设置;所述单聚磁层在所述两组霍尔对芯片的霍尔敏感面上的投影覆盖所述两组霍尔对芯片的中心区域;所述单聚磁层覆盖至少部分所述两组霍尔对芯片,所述单聚磁层沿所述x轴以及所述y轴对称设置。本发明实现了传感器元件的高灵敏性、零漂移、大容差性能;实现了传感器元件的小型化,并简化了传感器元件的磁场测量方法。
技术关键词
传感器元件 芯片 磁场测量方法 电压 夹角余弦 轴对称 轴线相互平行 无接触式 角度传感器 信号 电路板 十字形 多边形 椭圆形 直线 星形 关系 连线 电流
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