一种宽波长电吸收调制激光器芯片及其制备方法和应用

本发明涉及激光芯片技术领域，具体涉及一种宽波长电吸收调制激光器芯片及其制备方法和应用。本发明提供的宽波长电吸收调制激光器芯片在衬底之上划分出多个特定区域，在这些区域上依次设置第一调制器层、第一前光栅层直至第二调制器层，且第一、第二调制器层注入磷离子。关键的取样光栅通过电子束直写方式置于第一前光栅层、后光栅层与第二前光栅层内。在所有功能层上方，依次堆叠包层与电接触层，功能层之间通过刻蚀设置电隔离沟，最上层为P面电极，衬底下方设有N面电极。该芯片利用同一个后取样光栅反射区，通过量子阱混杂技术集成双端调制，实现同一集成芯片双端出光，速率和波长调谐性能翻倍的效果，大大降低集成芯片的功耗。