一种散热结构及采用其的3D DRAM三维堆叠芯片

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一种散热结构及采用其的3D DRAM三维堆叠芯片
申请号:CN202411972381
申请日期:2024-12-30
公开号:CN119920777A
公开日期:2025-05-02
类型:发明专利
摘要
本发明涉及层叠半导体技术领域,尤其是涉及一种散热结构及采用其的3D DRAM三维堆叠芯片。散热结构包括衬底和散热部件;所述衬底上设置有散热通道,所述散热部件的部分结构与散热通道的开口端接触;所述衬底和散热部件设置有封装空间。由于多层芯片堆叠,热量在垂直方向上累积,使得底部芯片的散热负担加重,本申请中通过在衬底上设置散热通道,底部芯片的热量可以通过散热通道传递至散热散热部件进行散热,由此,提高了芯片的散热效率。
技术关键词
三维堆叠芯片 散热部件 散热结构 导热结构 动态随机存取存储器芯片 衬底 通道 多层芯片堆叠 层叠 导热板 散热板 散热翅片 散热层 空腔 负担 介质 通孔
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