一种耐高温高湿环境的IGBT芯片

本实用新型提供了一种耐高温高湿环境的IGBT芯片，涉及IGBT芯片技术领域，包括IGBT芯片，所述IGBT芯片安装在外壳体下部所开设的下安装腔中，且IGBT芯片下端面左右两部均设置有一组侧疏热结构，所述IGBT芯片的前后两部均连接有三组连接端，且连接端的另一端设置有三组接线端子，并且接线端子上端罩有上防护罩，所述外壳体的顶部设置有顶座，且顶座的中部开设有上凹槽，并且上凹槽的中部开设有通口，且上凹槽与下安装腔之间相连通设置，所述上凹槽内安装有上散热鳍片组件，且上散热鳍片组件的下端面中部与IGBT芯片的上端面正好相接触设置。本实用新型结构设置坚强牢固，抗压抗磨，散热通风面积大，有助于快速降低温度，并且更耐高温高湿防腐蚀，更安全耐用。