耐高压器件

本实用新型公开一种耐高压器件，包括：第一芯片、第二芯片、环氧封装体、正电极和负电极，位于负极连接部正上方的所述正极连接部的下方形成有一上减薄区，所述负极连接部的上方形成有一下减薄区，在水平方向上并排分布的所述第一芯片、第二芯片均位于上减薄区和下减薄区内，所述第一芯片的正极端和第二芯片的负极端均通过一第一焊接层与正极连接部的下表面电连接，所述第一芯片的负极端和第二芯片的正极端均通过一第二焊接层与负极连接部的上表面电连接，所述正极连接部和负极连接部上均开设有若干个与第一芯片、第二芯片分别对应的通孔。本实用新型在提高整体承受电压能力的基础上，可以提高芯片与电极之间连接的稳定性以及环氧包覆结构的紧密性。