半导体器件的封装结构及半导体器件

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推荐专利
半导体器件的封装结构及半导体器件
申请号:CN202421306712
申请日期:2024-06-07
公开号:CN222673025U
公开日期:2025-03-25
类型:实用新型专利
摘要
本申请实施例提供一种半导体器件的封装结构及半导体器件。该封装结构包括:衬底;电极层,所述电极层位于所述衬底的一侧,所述电极层包括多个环形电极结构,各所述环形电极结构以同心圆的方式排列,各所述环形电极结构之间相互绝缘;散热层,所述散热层位于所述电极层与所述衬底之间,所述散热层包括多个环形导电结构,所述环形导电结构朝向所述衬底的正投影与所述环形电极结构朝向所述衬底的正投影至少部分相交叠,所述环形导电结构与所述环形电极结构电连接。可以使得散热层各处在高温环境下均匀热膨胀,避免对衬底发生局部高强度磨损,从而可以降低半导体器件的失效风险,提高半导体器件的安全性、可靠性和稳定性,延长半导体器件的使用寿命。
技术关键词
环形电极结构 半导体器件 导电结构 封装结构 散热层 绝缘结构 衬底 阴极层 阳极层 芯片 尺寸 风险
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