一种DDR颗粒交叉堆叠布局结构

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一种DDR颗粒交叉堆叠布局结构
申请号:CN202421406692
申请日期:2024-06-19
公开号:CN222786239U
公开日期:2025-04-22
类型:实用新型专利
摘要
本实用新型公开了一种DDR颗粒交叉堆叠布局结构,涉及半导体封装技术领域,包括PCB板、第一DDR内存芯片和第二DDR内存芯片;所述第一DDR内存芯片装焊于PCB板的一面,第二DDR内存芯片为第一DDR内存芯片上下翻转后交叉对贴焊装于PCB板的另一面;第一DDR内存芯片的地址位引脚区域与所述第二DDR内存芯片的数据位引脚区域位于PCB板的同一侧。本实用新型可以有效地减小DDR颗粒的地址互连的长度;有效地增大印制板的空间利用率,保证可以在紧凑的空间中布下更多的器件,同时方便器件的扇出和信号互连。
技术关键词
堆叠布局 内存 芯片 半导体封装技术 PCB板 焊盘 印制板 微带线 阵列 信号
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