用于制作沟槽栅器件的晶圆结构

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正文
推荐专利
用于制作沟槽栅器件的晶圆结构
申请号:CN202421415317
申请日期:2024-06-19
公开号:CN222692197U
公开日期:2025-03-28
类型:实用新型专利
摘要
本实用新型提供一种用于制作沟槽栅器件的晶圆结构,该晶圆结构包括:晶圆主体、栅极沟槽及应力修正沟槽,其中,晶圆主体包括多个芯片区及位于相邻两个芯片区之间的划片区,芯片区包括至少一元胞区;栅极沟槽位于元胞区中;应力修正沟槽位于划片区中,应力修正沟槽环绕芯片区,应力修正沟槽与栅极沟槽的开口的延伸方向不同,且应力修正沟槽的开口形状呈方波形或三角波形。本实用新型通过于晶圆主体的划片区中设置环绕各个芯片区的应力修正沟槽,并与元胞区中栅极沟槽的排布方式结合,改善了晶圆的翘曲度,减小了光刻对准的误差,提升了沟槽栅器件的工艺的一致性,保证了沟槽栅器件的性能。
技术关键词
制作沟槽 栅极沟槽 沟槽栅器件 芯片 应力 开口形状 波形 晶圆 排布方式 光刻 误差
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