IGBT功率单元及多单元IGBT装置

本实用新型公开了一种IGBT功率单元及多单元IGBT装置，其IGBT功率单元包括散热板、铺设于散热板上并沿左右方向依次设置的第一主导电片、第一导电条和第二导电条，以及IGBT芯片、FRD芯片、第一CLIP件、第二CLIP件和第三CLIP件；第一IGBT芯片的C极和第一FRD芯片的负电极焊接于第一主导电片上，第一IGBT芯片的G极位于第一IGBT芯片E极的中间或者左侧，第一CLIP件分别焊接于第一IGBT芯片的E极和第一导电条上，第二CLIP件分别焊接于第一FRD芯片的正电极和第一导电条上；第三CLIP件的高度高于第一CLIP件，第三CLIP件跨在第一CLIP件至少部分区域上并焊接于第一IGBT芯片的G极和第二导电条上。本专利的IGBT功率单元布局合理，空间利用率高。