基于覆铜陶瓷基板的IGBT封装结构

本实用新型公开一种基于覆铜陶瓷基板的IGBT封装结构，包括有散热底座、第一覆铜陶瓷基板、第二覆铜陶瓷基板、半导体芯片、功率电极、控制电极、凝胶层以及环氧树脂层；该散热底座具有一开口朝上的容置腔；该第一覆铜陶瓷基板和第二覆铜陶瓷基板均焊接固定在容置腔的底面上；该半导体芯片焊接在第一覆铜陶瓷基板上并与第一覆铜陶瓷基板上的线路导通连接，通过采用散热底座，散热底座上具有容置腔，并配合利用凝胶层和环氧树脂层将第一覆铜陶瓷基板、第二覆铜陶瓷基板和半导体芯片很好地密封在容置腔中，密封效果更好，完全满足防水要求，同时散热底座可以很好地进行散热，散热效果更佳，产品的应用范围更广。