一种低应力中心门极可控硅连桥及可控硅结构

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一种低应力中心门极可控硅连桥及可控硅结构
申请号:CN202421567354
申请日期:2024-07-04
公开号:CN222762965U
公开日期:2025-04-15
类型:实用新型专利
摘要
本实用新型为解决现有的可控硅模块中通流效果不佳的问题,提供一种低应力中心门极可控硅连桥及可控硅结构,其中可控硅连桥包括第一连桥以及第二连桥;其中第一连桥用于与可控硅的一个电极连接;第二连桥的一端与第一连桥连接;第一连桥和第二连桥均采用导电材料;第一连桥呈片状,第一连桥上设置有若干用于应力卸荷的镂空槽;实现对可控硅芯片与其他元件的连接,结构简单、通流稳定。
技术关键词
可控硅结构 可控硅芯片 应力 可控硅模块 引线 片状 电极片 底板 导电 阴极 阳极 元件 通孔
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