一种碳化硅MOSFET

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种碳化硅MOSFET。其技术方案包括：N型衬底和设置其上的外延层，以及下方的漏极，所述外延层的中央区域设有P‑Well区和二极管区，所述P‑Well区呈包裹状位于所述二极管区外围，所述外延层的边际设有侧边P型体，所述侧边P型体上设有交错状的P型‑Sic和N型‑Sic，本方案通过在外延层的中部设置P‑Well区和二极管区，二者位于芯片中央区域且宽度最大化设置因此可以有效降低了芯片中央的结温，因此芯片整体呈现的是相对均匀的温度，并且再配合外延层边际处的P型‑Sic和N型‑Sic，利用不同时在P型‑Sic与N型‑Sic施加高压和高温的效果，使得可以改善器件长时间受高温的情况，且改善反偏压漏电流的情况。