一种提高发光效率的芯片结构

AITNT
正文
推荐专利
一种提高发光效率的芯片结构
申请号:CN202421811125
申请日期:2024-07-30
公开号:CN223503332U
公开日期:2025-10-31
类型:实用新型专利
摘要
本实用新型涉及半导体芯片技术领域,具体公开了一种提高发光效率的芯片结构,该提高发光效率的芯片结构,包括基板,第一半导体层,有源层,第二半导体层,第一导电层,反射层,介质层,第一绝缘层,第二绝缘层,第二导电层,第三绝缘层,焊盘,贯穿所述第二半导体层及所述有源层,并延伸到所述第一半导体层内部的凹陷;所述介质层覆盖于所述反射层以及第一绝缘层表面,介质层一侧接触反射层和第一绝缘层,另一侧接触第二绝缘层,形成夹心结构;该提高发光效率的芯片结构,能够有效地阻挡了反射层中的Ag向相邻层中迁移,提高器件的稳定性,同时,介质层采用的材料吸光系数较小,折射率高,可以提高全反射效率,从而提高器件发光效率。
技术关键词
芯片结构 半导体层 导电层 夹心结构 半导体芯片技术 多层金属结构 介质 焊盘 多层结构 非晶碳膜 单层 氧化钽 氧化钛 金刚石 缝隙 氧化铝 基板
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号