一种可以改善DDR芯片信号阻抗变化的布局结构

本实用新型公开了一种可以改善DDR芯片信号阻抗变化的布局结构，包括设置在电路板本体上的多个焊盘组，每个DDR焊盘组包括多个表贴焊盘，外侧的表贴焊盘的第一扇出孔位于DDR焊盘组外，内部的表贴焊盘的第二扇出孔位于DDR焊盘组内，且内部的表贴焊盘的第二扇出孔错位排布，使得第二扇出孔与相邻的第二扇出孔之间的中心间距不小于1.3mm。本实用新型通过改进DDR芯片的DDR焊盘组的打孔方式，拉大DDR芯片组的相邻的第一扇出孔和第二扇出孔的孔盘和孔盘之间的间距，间距变大后，使两孔之间的内层走线可以保持40Ω阻抗信号连接到DDR芯片上面，DDR走线信号质量最佳，还可以有效改善DDR芯片的加工难度。